Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A novel hybrid memory architecture - Non-Volatile SRAMs (NVSRAMs) wherein resistive memories incorporated as an integral part of SRAM cell to provide information back-up feature is presented in this paper. It also makes a discussion on some of the challenges faced in implementing hybrid memories and the prospective solutions.
CBRAMs are a kind of RRAMs fabricated in the BEOL. They are a promising breakthrough for including permanent retention mechanisms (non-volatility) in embedded systems at low cost. Thus, they are becoming very interesting for the design community. For using this device in innovative circuits, a compact model is mandatory. In this paper, we propose a continuous physical compact model, implemented in...
In this paper, we propose a novel HfO2-GeS2-Ag based Conductive Bridge RAM (CBRAM) device as a promising candidate to replace Flash and SRAM-based configuration memory in reconfigurable logic circuits, such as Field Programmable Gate Arrays (FPGAs). In order to evaluate the feasibility of our new cell for FPGA architectures, 1T-1R CBRAM devices (both isolated and 8×8 matrix) were electrically characterized...
This paper presents an innovative structure based on 3 dimensional integration technology, where ultra thin inter layer dielectric enables a dynamic threshold voltage (VTH) control. A sequential process flow is proposed to fabricate 3D devices with dynamically tunable VTH. This ability can be exploited to design SRAMs cells with increased stability and surface density compared to planar technology...
Novel 3D stacked gate-all-around multichannel CMOS architectures were developed to propose low leakage solutions and new design opportunities for sub-32 nm nodes. Those architectures offer specific advantages compared to other planar or non planar CMOS devices. In particular, ultra-low IOFF (< 20 pA/mum) and high ION (> 2.2 mA/mum) were demonstrated. Moreover, those transistors do not suffer...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.