Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The effects of 63 MeV proton irradiation on 90 nm strained silicon CMOS on insulator is examined for the first time. The devices show no observable degradation in DC performance up to an equivalent total dose of 600 krad(Si). The performance of the strained pFETs is identical to unstrained pFETs and demonstrates the immunity of strain to displacement damage. There is no significant enhancement observed...
Low-temperature photolysis of tris(trimethylsilyl)silane derivatives in a 3-methylpentane glass at 77 K yields hexamethyldisilane and trimethylsilyl-substituted silylenes. These silylenes exhibit broad n → p absorptions at wavelengths typically > 600 nm in the UV and have been captured by 2,3-dimethylbutadiene in cyclohexane at room temperature. Exceptions to the usual position of λ m ...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.