Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Resistive RAM (ReRAM) is an attractive candidate for next generation embedded nonvolatile memory [1][2], with several advantages compared to conventional flash technology. First, ReRAM is a CMOS-compatible low temperature back-end of line (BEOL) memory. There is almost no mutual impact between ReRAM element and front-end CMOS devices during the wafer processing. Second, it only needs 2∼4 extra masks,...
This brief proposes one-write–one-read (1W1R) and two-write–two-read (2W2R) multiport (MP) SRAMs for register file applications in nanoscale CMOS technology. The cell features a cross-point Write word-line structure to mitigate Write Half-Select disturb and improve the static noise margin (SNM). The Write bit-lines (WBLs) and Write row-access transistors are shared with adjacent bit-cells to reduce...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.